型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

NPN Silicon Germanium RF Transistor

DESCRIPTION The NESG340033 is an ideal choice for low noise, low distortion amplification. FEATURES • NF = 0.65 dB TYP. @ VCE = 3.3 V, IC = 15 mA, f = 1 GHz • Po (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.3 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz • OIP3 = 35.5 dBm TYP. @ VCE = 3.3 V, IC (set) = 50 mA, f = 1 GHz

RENESAS

瑞萨

LGE340033G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LGE340033G

  • 制造商

    Eaton Corporation

  • 功能描述

    LGE 3 POLE, 400A LS BREAKER

更新时间:2025-11-26 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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