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GalliumArsenideCATVIntegratedAmplifierModule

Description •24VdcSupplyor12VdcSupplywithBiasChange,40to870MHz,CATVIntegratedForwardAmplifierModule Features •Specifiedfor79-,112-and132-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •Built-inInputDiodeProtection •GaAsFETTransistorTechnology •Unconditi

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

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太阳诱电太阳诱电株式会社

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太阳诱电太阳诱电株式会社

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MULTILAYERCHIPINDUCTORSFORHIGHFREQUENCYAPPLICATIONS(HKSERIES)

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TAIYO-YUDENTaiyo Yuden (U.S.A.), Inc

太阳诱电太阳诱电株式会社

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更新时间:2024-6-16 23:00:01
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