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LET9120	RFpowertransistorfromtheLdmoSTfamilyofn-channelenhancement-modelateralMOSFETs Description TheLET9120isacommonsourcen-channelenhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.6GHz. Features ■Excellentthermalstability ■Commonsourceconfigurationpush-pull ■POUT=12	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
LET9120	封装/外壳：M246 包装：托盘描述：MOSFET N-CH 80V 18A M-246 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
9120	INSTRUMENTATIONHANDLES 文件：86.3 Kbytes Page：1 Pages	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司
9120A	ProgrammableDCPowerSupplies 文件：800.12 Kbytes Page：3 Pages	BKB&K Precision Corporation B & k B & k 精密机械有限公司
9120A	40A200VN-CHANNELMOSFET 文件：441.69 Kbytes Page：8 Pages	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
9120GH	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET 文件：68.73 Kbytes Page：5 Pages	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
9120GJ	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET 文件：68.73 Kbytes Page：5 Pages	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

LET9120产品属性

类型
描述
型号
LET9120
功能描述
射频MOSFET电源晶体管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
封装/箱体
NI-780-4
封装
Tray

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更新时间：2024-6-21 17:32:00

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