型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
LED56

GaAs INFRARED EMITTING DIODE

DESCRIPTION The LED55B/LED55C/LED56 are 940 nm LEDs in a narrow angle, TO-46 package. FEATURES • Good optical to mechanical alignment • Mechanically and wavelength matched to the TO-18 series phototransistor • Hermetically sealed package • High irradiance level

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

LED56

GAAS INFRARED EMITTING DIODE

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QT

LED56

封装/外壳:TO-46-2 透镜顶部金属罐 包装:散装 描述:EMITTER IR 940NM 100MA TO-46 光电器件 LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

ONSEMI

安森美半导体

LED56

Infrared

BRIGHTEK

弘凯光电

LED56

GAAS INFRARED EMITTING DIODE

ONSEMI

安森美半导体

GaAs INFRARED EMITTING DIODE

DESCRIPTION The LED55BF/LED55CF/LED56F series are 940nm LEDs in a wide angle, TO-46 package. FEATURES • Good optical to mechanical alignment • Mechanically and wavelength matched to the TO-18 series phototransistor • Hermetically sealed package • High irradiance level

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Dual LED, 5 mm package

文件:101.84 Kbytes Page:2 Pages

ROITHNER

Visible LED

文件:163.18 Kbytes Page:3 Pages

ROITHNER

High Power LED Array

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ROITHNER

GAAS INFRARED EMITTIN DIODE

文件:233.46 Kbytes Page:3 Pages

QT

封装/外壳:TO-46-2 透镜顶部金属罐 包装:散装 描述:EMITTER IR 940NM 100MA TO-46 光电器件 LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

ONSEMI

安森美半导体

GAAS INFRARED EMITTIN DIODE

ONSEMI

安森美半导体

LED56产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    LED56

  • 功能描述

    红外发射源 1.5mW 1.7V IR LED

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 波长

    880 nm

  • 射束角

    +/- 25

  • 最大工作温度

    + 100 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 封装/箱体

    Side Looker

  • 封装

    Bulk

更新时间:2025-10-4 22:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
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FAIRCHILD/仙童
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