| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UHF power LDMOS transistor DESCRIPTION Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS transistor encapsulated in a 2-lead flangeless package (SOT538A) with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting base. FEATURES • High power gain • Easy power control • Excellent ruggedness • Source on mounting b | PHILIPS 飞利浦 |   | ||
LOW-NOISE DUAL PRE-AMPLIFIER 文件：218.65 Kbytes Page：5 Pages | NJRC 日本无线 | | ||
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更新时间：2026-3-18 20:00:01
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2022-4-20LDA10-5S48
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