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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
LBSS123LT1	N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURE ● Pb-Free Package is available.	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS123LT1	N-CHANNEL POWER MOSFET	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS123LT1G	N-CHANNEL POWER MOSFET N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURE ● Pb-Free Package is available.	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS123LT1G	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Low Threshold: 2 V (typ.) • Low Input Capacitance: 25 pF • Fast Switching Speed: 25 ns • Low Input and Output Leakage • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
LBSS123LT1G	小信号MOSFET	LRC 乐山无线电	LRC
LBSS123LT1G_15	N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：366.07 Kbytes Page：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
BSS123LT1	TMOS FET Transistor(N-Channel) TMOS FET Transistor N–Channel	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BSS123LT1	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS123LT1D	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSS123LT1G	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts N−Channel SOT−23 Features • Pb−Free Packages are Available	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

LBSS123LT1产品属性

类型
描述
VDSS (V)：
100
VGS(V)：
20
ID (A)：
0.17
VGSth Min (V)：
0.8
VGSth Max (V)：
2
td(on) (ns)：
20
td(off) (ns)：
40
RDS（ON）Max @VGS/IDS (mΩ)：
6000
VGS/IDS (V)/(A)：
10/0.1
Package：
SOT-23
Polarity：
N-Channel

LBSS123LT1供应商更多...

更新时间：2026-8-3 22:58:00

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