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High-voltage half bridge driver

Description The L6384E is an high-voltage device, manufactured with the BCDOFF-LINE technology. It has an Half - Bridge Driver structure that enables to drive N-channel Power MOS or IGBT. The High Side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CMOS

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-6 21:09:01
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L6384ED013TRIC芯片相关品牌

L6384ED013TRIC数据表相关新闻

  • L6388ED013TR 栅极驱动器

    L6388ED013TR 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款栅极驱动器芯片。它是一款高压高低侧驱动器,采用 BCD “离线” 技术制造,能够驱动功率 MOSFET 或 IGBT 器件组成的半桥电路。

    2025-7-4
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    2024-10-30
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    L6387ED013TR

    2023-10-13
  • L6208Q

    进口代理

    2023-7-20
  • L6353-智能驱动的功率MOS和IGBT的

    描述 该L6353设备是智能驱动,所有的驱动和保护知识“已装船“。在这两个DIP和SO封装,可触发的逻辑电平或从一个信号optocoupleror脉冲变压器。它过滤寄生输入信号和驱动器的任何MOSor的IGBT。 特点 峰高输出电流能力(+8A) 宽电源电压范围(12.5至18V的) 0至-7.5V的负偏压电源范围 过电流和饱和度下降保护的外部电源设备(外部可编程) 闭锁保护(IGBT)的 两步开启(可编程) 正电源防护欠压 使用光耦器兼容输入

    2013-2-28
  • L6370-2.5A的高边驱动器工业智能功率开关

    L6370是一款单片智能功率BCD技术在移动电站开关,驾驶感性或阻性负载。一个内部钳位二极管可以归纳快速退磁负载。 CPU的反馈和广泛的诊断使用电器的保护,使该器件非常坚固耐用,特别适合工业自动化应用。 特点 * 2.5A输出电流 * 9.5V至35V电源VOLTAGERANGE * 内部电流限制 * 热关断 * 空地保护 * 内部负电压钳位,以VS - 50V快速退磁 * 与大共模范围和阈值迟滞差分输入 * UNDERVOLTAGELOCKOUTWITHHYSTERESI

    2012-11-13