| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon Carbide Schottky Diode Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET | Cree 科锐 |   | ||
Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET | Cree 科锐 | | ||
3rd Generation 650 V, 4 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m | WOLFSPEED | | ||
Silicon Carbide Schottky Diode 文件：795.33 Kbytes Page：6 Pages | Cree 科锐 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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CREE |
24+ |
NA/ |
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CREE |
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CREE/科锐 |
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CREE |
24+ |
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CREE |
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CREE |
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CREE |
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CREE/科锐 |
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SMD |
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CREE |
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TO220-2 |
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2013-1-24
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