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UHF power transistor

DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial power transistor in an 8-lead SOT409A SMD package with ceramic cap. All leads are isolated from the mounting base. FEATURES • Emitter ballasting resistors for optimum temperature profile • Gold metallization ensures excellent reliability • Internal in

PHILIPS

飞利浦

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Capable of 2.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

DUAL PRE AMPLIFIER WITH A MUSIC SEARCH FOR AUTO REVERSE CAR STEREO

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TOSHIBA

东芝

DUAL POWER-DISTRIBUTION SWITCHES

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TI

德州仪器

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更新时间:2026-3-18 20:00:01
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