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SI4953DY中文资料

厂家型号

SI4953DY

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4

功能描述

Dual P-Channel MOSFET

MOSFET SO8 DUAL PCH

数据手册

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生产厂商

KEXIN

SI4953DY数据手册规格书PDF详情

■ Features

● VDS (V) =-30V

● ID =-4.9 A (VGS =-10V)

● RDS(ON) < 53mΩ (VGS =-10V)

● RDS(ON) < 95mΩ (VGS =-4.5V)

SI4953DY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4953DY

  • 功能描述

    MOSFET SO8 DUAL PCH

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-24 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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