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MOS Field Effect Transistor
Features
Super low on-state resistance:
RDS(on)1=6.5mÙMAX.(VGS=10V,ID=30A)
RDS(on)2=9.1mÙMAX.(VGS=4.5V,ID=30A)
Low Ciss:Ciss = 2700 pF TYP.
Built-in gate protection diode
更新时间：2025-12-9 11:04:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
12+ |
TO-252 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
NEC |
24+ |
TO-252 |
8866 |
||||
NEC |
24+ |
4326 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
||||
RENESAS |
18+ |
TO-252 |
41200 |
原装正品,现货特价 |
|||
RENESAS |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
NEC |
24+ |
6540 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
||||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-252 |
32500 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
NEC |
23+ |
SOT252 |
25000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
NEC |
22+ |
SOT252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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