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2SK3571中文资料

厂家型号

2SK3571

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1

功能描述

MOS Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

KEXIN

2SK3571数据手册规格书PDF详情

Features

● 4.5V drive available.

● Low on-state resistance, RDS(on)1 = 9m MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A)

● Low gate charge

QG = 21 nC TYP. (VDD = 16 V, VGS = 10 V, ID = 48 A)

● Built-in gate protection diode

● Surface mount device available

更新时间:2025-10-13 16:30:00
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