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IRFW630B中文资料

厂家型号

IRFW630B

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8

功能描述

200V N-Channel MOSFET

数据手册

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生产厂商

KERSEMI

IRFW630B数据手册规格书PDF详情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.

Features

• 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 22 nC)

• Low Crss ( typical 22 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

IRFW630B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFW630B

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    200V N-Channel MOSFET

更新时间:2025-11-26 16:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-263
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
仙童
06+
TO-263
3800
原装
FAIRCHILD
1415+
TO-263
28500
全新原装正品,优势热卖
FSC
18+
TO-263
41200
原装正品,现货特价
FAIRCHILD
20+
TO-2632L(D2PAK)
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-2632L(D2PAK)
50000
全新原装正品现货,支持订货
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
FAIRCHILD/仙童
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
FAIRCHILD/仙童
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品
FAIRCHIL
25+
TO-263
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售