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General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.

Features

• 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 22 nC)

• Low Crss ( typical 22 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

IRFW630B供应商...

更新时间：2026-2-12 22:59:00

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