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Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Ultra Low On-Resistance
● Surface Mount (IRFR3910)
● Straight Lead (IRFU3910)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
IRFU3910产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFU3910
- 功能描述
MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO-251 |
9600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IR |
2020+ |
TO-251 |
22000 |
全新原装正品 现货库存 价格优势 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-251 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价IRFU3910PBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
IR全系列管{优势热卖} |
1321+ROHS全新 |
SOD-123原厂原封 |
21868 |
原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权 |
|||
IR/VISHAY |
TO-251 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
IR |
16+ |
TO-251 |
36000 |
原装正品,优势库存81 |
|||
VISHAY |
23+ |
D-PAK |
65400 |
||||
INFINEON |
2021+ |
原厂原封装 |
93628 |
原装进口现货 假一罚百 |
|||
Infineon |
2301+ |
TO-251 |
10000 |
全新、原装 |
|||
IR |
17+ |
I-Pak |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
IRFU3910PBF 价格
参考价格：￥1.5143
IRFU3910 资料下载更多...
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- MUR1040FCT
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- SIHFR9110TL-E3A
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