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BT131-600E数据手册规格书PDF详情
Description
This MOSFETS use advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
Features
1) Low gate charge.
2) Green device available.
3) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)
4) Excellent package for good heat dissipation.
BT131-600E产品属性
- 类型
描述
- 型号
BT131-600E
- 功能描述
双向可控硅 TRIAC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 开启状态
RMS
- 电流(It_RMS)
16 A
- 不重复通态电流
120 A 额定重复关闭状态电压
- VDRM
600 V
- 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下)
5 uA
- 开启状态电压
保持电流(Ih
- 最大值)
45 mA
- 栅触发电压(Vgt)
1.3 V
- 栅触发电流(Igt)
1.75 mA
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
22048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
|||
恩XP |
25+ |
TO-92 |
45000 |
NXP/恩智浦全新现货BT131-600E即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
|||
恩XP |
24+ |
TO-92-3 |
412 |
||||
WEEN |
25+23+ |
SOT54 |
55549 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
恩XP |
24+ |
TO-220 |
12000 |
进口原装现货,假一罚十 |
|||
恩XP |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
||||
PHI |
24+ |
TO-92 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
WEEN |
24+ |
SOT54 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
|||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
PHI |
25+ |
SOP |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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