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BT131-600E中文资料

厂家型号

BT131-600E

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4

功能描述

Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)

双向可控硅 TRIAC

数据手册

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生产厂商

KERSEMI

BT131-600E数据手册规格书PDF详情

Description

This MOSFETS use advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Features

1) Low gate charge.

2) Green device available.

3) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON)

4) Excellent package for good heat dissipation.

BT131-600E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BT131-600E

  • 功能描述

    双向可控硅 TRIAC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 开启状态

    RMS

  • 电流(It_RMS)

    16 A

  • 不重复通态电流

    120 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下)

    5 uA

  • 开启状态电压

    保持电流(Ih

  • 最大值)

    45 mA

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 栅触发电流(Igt)

    1.75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220AB

更新时间:2025-11-2 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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