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TIP112F中文资料

TIP112F
厂家型号

TIP112F
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2页
功能描述

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR(MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
数据手册

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简称

KEC

生产厂商

KEC(Korea Electronics)
中文名称

官网

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TIP112F数据手册规格书PDF详情

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN

BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.

FEATURES

• High DC Current Gain.

: hFE=1000(Min.), VCE=4V, IC=1A.

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage.

• Complementary to TIP117F.

TIP112F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIP112F

  • 制造商

    KEC

  • 制造商全称

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述

    EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR(MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

TIP112F供应商...

更新时间：2025-10-11 15:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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