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MJD117L中文资料

MJD117L
厂家型号

MJD117L
文件大小

394.75Kbytes
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2页
功能描述

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR(MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
数据手册

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简称

KEC

生产厂商

KEC(Korea Electronics)
中文名称

官网

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MJD117L数据手册规格书PDF详情

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.

FEATURES

• High DC Current Gain. : hFE=1000(Min.), VCE=-4V, IC=-1A.

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage.

• Straight Lead (IPAK, L Suffix)

• Complementary to MJD112/L.

MJD117L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD117L

  • 制造商

    KEC

  • 制造商全称

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述

    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR(MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

MJD117L供应商...

更新时间：2025-11-26 9:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市鼎欣微电子有限公司
MJD117L
KEC
24+
TO-252
30000
只做正品原装现货
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市金芯世纪电子有限公司
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代理渠道/只做原装/可含税
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深圳市晨豪科技有限公司
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当天发货全新原装现货
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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深圳市博中泰实业有限公司
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深圳和润天下电子科技有限公司
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富凯科技(深圳）有限公司
MJD117MOS(场效应管)
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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