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厂家型号	2N5551C
文件大小	164.94Kbytes
页面数量	2页
功能描述	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) 两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
简称	KEC【开益禧】
生产厂商	KEC(Korea Electronics)
中文名称	无锡开益禧半导体有限公司官网

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

HIGH VOLTAGE APPLICATION.

FEATURES

• High Collector Breakdwon Voltage

: VCBO=180V, VCEO=160V

• Low Leakage Current.

: ICBO=50nA(Max.), VCB=120V

• Low Saturation Voltage

: VCE(sat)=0.2V(Max.), IC=50mA, IB=5mA

• Low Noise : NF=8dB (Max.)

2N5551C供应商...

更新时间：2026-2-6 8:30:00

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