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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=18.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
PowerMOSFETs40V,24A,N-channel 文件：1.70701 Mbytes Page：7 Pages | SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社 |  | |
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