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N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SiliconNChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/CqualityfactorForlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz)

Features ●Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ●Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子德国西门子股份公司

SIEMENS

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode

SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

ICintendedforuseasaPWMcontroller

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ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1

SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs

文件:114.27 Kbytes Page:12 Pages

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

更新时间:2025-7-31 23:00:01
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