KSR1113晶体管资料

  • KSR1113别名:KSR1113三极管、KSR1113晶体管、KSR1113晶体三极管

  • KSR1113生产厂家:韩国三星公司

  • KSR1113制作材料:Si-N+R

  • KSR1113性质:开关管 (SW)

  • KSR1113封装形式:贴片封装

  • KSR1113极限工作电压

  • KSR1113最大电流允许值:0.1A

  • KSR1113最大工作频率:<1MHZ或未知

  • KSR1113引脚数:3

  • KSR1113最大耗散功率

  • KSR1113放大倍数

  • KSR1113图片代号:H-15

  • KSR1113vtest:0

  • KSR1113htest:999900

  • KSR1113atest:.1

  • KSR1113wtest:0

  • KSR1113代换 KSR1113用什么型号代替:DTC123JK,KRC1405,RN1405,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
KSR1113

NPN(SWITCHINGAPPLICATION)

SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit •BuiltinbiasResistor(R1=2.2KΩ,R2=47KΩ) •ComplementtoKSR2113

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung

2GHzto6GHz,46dBm(40W),GaNPowerAmplifier

FEATURES ►InternallymatchedandAC-coupled,40W,GaNpoweramplifier ►Integrateddrainbiasinductor ►POUT:46.5dBmtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21dBm) ►Smallsignalgain:40.5dBtypicalfrom2.3GHzto5.7GHz ►Powergain:25.5dBtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

2GHzto6GHz,46dBm(40W),GaNPowerAmplifier

FEATURES ►InternallymatchedandAC-coupled,40W,GaNpoweramplifier ►Integrateddrainbiasinductor ►POUT:46.5dBmtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21dBm) ►Smallsignalgain:40.5dBtypicalfrom2.3GHzto5.7GHz ►Powergain:25.5dBtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

2GHzto6GHz,46dBm(40W),GaNPowerAmplifier

FEATURES ►InternallymatchedandAC-coupled,40W,GaNpoweramplifier ►Integrateddrainbiasinductor ►POUT:46.5dBmtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21dBm) ►Smallsignalgain:40.5dBtypicalfrom2.3GHzto5.7GHz ►Powergain:25.5dBtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

Miniature,10WDIPSingle&DualOutputDC/DCConverters

文件:171.29 Kbytes Page:2 Pages

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

MPD

Ultra-Small,Low-Power,16-BitAnalog-to-DigitalConverterwithInternalReference

文件:789.44 Kbytes Page:34 Pages

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI

KSR1113产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KSR1113

  • 功能描述

    开关晶体管 - 偏压电阻器 SOT-23

  • RoHS

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性

    NPN/PNP

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    200 mA

  • 最大工作频率

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V

  • 集电极连续电流

    150 mA

  • 功率耗散

    200 mW

  • 封装

    Reel

更新时间:2024-4-19 8:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
2023+
SOT-23
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
SAMSUNG
19+ 20+
SOT23
32350
深圳存库原装现货
SAMSUNG
99+
SOT23
1890
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微
SOT-23
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
Samsung/Samsung Group/三星/三
21+
SOT23
1890
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
SAMSUNG/三星
24+
SOT23
990000
明嘉莱只做原装正品现货
TB
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
SAMSUNG
05+
原厂原装
21051
只做全新原装真实现货供应
KEC-株式会社
24+25+/26+27+
SOT-23.贴片
18800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
SAMSUNG/三星
23+
TO-92S
90000
原装原盘

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