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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
KSB708RTU

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:TRANS PNP 80V 7A TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

PHASE CONTROL THYRISTOR

Repetitive voltage up to 800 V Mean on-state current 4925 A Surge current 70 kA

POSEICO

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

POWER LINEAR AND SWITCHING APPLICATIONS

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Integrated Circuit TV/FM Sound IF Amplifier

Features: • Greatly Simplifier FM Demodulator Alignment • Excellent Performance at V+ = 8V

NTE

7 N-channel 80 mohm FET array enhancement mode MOS transistors

DESCRIPTION Seven enhancement mode MOS transistors in a 24-pin plastic SOT340-1 (SSOP24) package. Six of the transistors are in three half-bridge configurations. FEATURES • High-speed switching • No secondary breakdown • Very low on-state resistance. APPLICATIONS • Driving high performance

PHILIPS

飞利浦

Silicon MOS IC

文件:31.14 Kbytes Page:2 Pages

PANASONIC

松下

KSB708RTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KSB708RTU

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-19 12:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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21+
TO220F
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