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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
AD8548	22 μA, RRIO, CMOS, 18 V Operational Amplifier FEATURES Micropower at high voltage (18 V): 22 μA maximum Low input bias current: 20 pA maximum Gain bandwidth product: 240 kHz at AV =100 typical Unity-gain crossover: 240 kHz −3 dB closed-loop bandwidth: 310 kHz Slew rate: 80 V/ms Large signal voltage gain: 110 dB minimum Single-supply operat	AD 亚德诺	AD
AD8548	OVP and EMI Protected, Precision, Low Noise and Bias Current Op Amps FEATURES Low offset voltage: 60 μV maximum at 25°C (8-lead and 14-lead SOIC) Low offset voltage drift: 1 μV/°C maximum (8-lead and 14-lead SOIC) Low input bias current: 1 nA maximum at 25°C Low voltage noise density: 8 nV/√Hz typical at 1 kHz Large signal voltage gain (AVO): 100 dB minimum ov	AD 亚德诺	AD
8548	INDUCTORS Inductors Designed for Nationals 150 KHz SIMPLE SWITCHERTM 文件：100.28 Kbytes Page：1 Pages	FILTRAN 费尔兰特	FILTRAN
8548	AXL E ETH DI8 DO4 2A M12 6M 文件：321.73 Kbytes Page：22 Pages	PhoenixPHOENIX CONTACT 菲尼克斯德国菲尼克斯电气集团	Phoenix
AD8548	22 關A, RRIO, CMOS, 18 V 文件：696.47 Kbytes Page：24 Pages	AD 亚德诺	AD

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更新时间：2025-10-5 23:00:02

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KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-10Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 10
2020-9-8
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
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2019-2-19