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KM681000BLG-7	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM FEATURES ¡Ü Process Technology : 0.6§ CMOS ¡Ü Organization : 128Kx8 ¡Ü Power Supply Voltage : Single 5.0V ¡¾ 10% ¡Ü Low Data Retention Voltage : 2V(Min) ¡Ü Three state output and TTL Compatible ¡Ü Package Type : JEDEC Standard 32-DIP, 32-SOP, 32-TSOP I R/F The KM681000B family is fa	SYC	SYC
KM681000BLG-7	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM 文件：192.68 Kbytes Page：11 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM681000BLG-7L	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM FEATURES ¡Ü Process Technology : 0.6§ CMOS ¡Ü Organization : 128Kx8 ¡Ü Power Supply Voltage : Single 5.0V ¡¾ 10% ¡Ü Low Data Retention Voltage : 2V(Min) ¡Ü Three state output and TTL Compatible ¡Ü Package Type : JEDEC Standard 32-DIP, 32-SOP, 32-TSOP I R/F The KM681000B family is fa	SYC	SYC
KM681000BLG-7L	128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM 文件：192.68 Kbytes Page：11 Pages	Samsung 三星	Samsung

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更新时间：2025-8-15 13:47:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科达星科技有限公司	KM681000BLG-7	SAMSUMG	24+	SMD	9630	我们只做原装正品现货!量大价优!	询价
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深圳市一线半导体有限公司	KM681000BLG-7		24+	SOP	12		询价
深圳市安富世纪电子有限公司	KM681000BLG-7	SAMSUNG	23+	SOP32	16	全新原装正品现货,支持订货	询价
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KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLMBG2JENB-B041特价销售三星内存
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2022-10-27
KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
KMRX1000BM-B614 原装现货低价出售
2019-2-19