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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
KM62V256DL-L	32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM 文件：162.39 Kbytes Page：9 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM62V256C	32Kx8 bit Low Power AND Low Vcc CMOS Static RAM 文件：90.2 Kbytes Page：12 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM62V256D	32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM 文件：162.39 Kbytes Page：9 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM62V256DLE-L	32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM 文件：162.39 Kbytes Page：9 Pages	Samsung 三星	Samsung
HM62V256	32,768-word 쨈 8-bit Low Voltage Operation CMOS Static RAM Features • Low voltage operation SRAM Operating Supply Voltage: 2.7 V to 3.6 V • 0.8 µm Hi-CMOS process • High speed Access time: 70/85/100 ns (max) • Low power Standby: 0.15 µW (typ) • Completely static memory No clock or timing strobe required • Directly LVTTL compatibl	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
AS62V256A	Three?뭩tate outputs 文件：424.67 Kbytes Page：10 Pages	ALSC	ALSC

KM62V256DL-L供应商更多...

更新时间：2025-11-21 17:53:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLMBG2JENB-B041特价销售三星内存
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2022-10-27
KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
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2019-2-19