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KM6264BLG-12	8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM GENERAL DESCRIPTION The KM6264B family is fabricated by SAMSUNGs advanced CMOS process technology. The family can support various operating temperature ranges and has various package types for user flexibility of system design. The family also support low data retention voltage for battery back-u	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
KM6264BLG-12L	8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM GENERAL DESCRIPTION The KM6264B family is fabricated by SAMSUNGs advanced CMOS process technology. The family can support various operating temperature ranges and has various package types for user flexibility of system design. The family also support low data retention voltage for battery back-u	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

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更新时间：2026-5-13 22:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	KM6264BLG-12	SAMSUNG	24+	SOP-28	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
深圳市威雅利发展有限公司	KM6264BLG-12	HY	0405+	SOP-28	21	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	KM6264BLG-7	SEC/上优	2450+	SOP28	6540	只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品!	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	KM6264BLG-7	SAMSUNG	16+	BGA	4000	进口原装现货/价格优势!	询价

KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLMBG2JENB-B041特价销售三星内存
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2022-10-27
KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
KMRX1000BM-B614 原装现货低价出售
2019-2-19