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KM6264BLG-10L	8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM GENERAL DESCRIPTION The KM6264B family is fabricated by SAMSUNGs advanced CMOS process technology. The family can support various operating temperature ranges and has various package types for user flexibility of system design. The family also support low data retention voltage for battery back-u	Samsung 三星	Samsung
KM6264BLG-10	8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM GENERAL DESCRIPTION The KM6264B family is fabricated by SAMSUNGs advanced CMOS process technology. The family can support various operating temperature ranges and has various package types for user flexibility of system design. The family also support low data retention voltage for battery back-u	Samsung 三星	Samsung

KM6264BLG-10L供应商更多...

更新时间：2025-11-21 23:00:00

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深圳市拓亿芯电子有限公司	KM6264BLG-7	SAMSUNG	25+	SOP	30000	代理全新原装现货价格优势	询价
深圳市赛美科科技有限公司	KM6264BLG-10L	SAMSUNG		SOP28	68500	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市胜彬电子有限公司	KM6264BLG-10L	SAMSUNG	22+	SOP	8000	原装正品支持实单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	KM6264BLG-10L	HITACHI/日立	23+	SOP	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司	KM6264BLG-7	SAMSUNG/三星	22+	SOP	12245	现货,原厂原装假一罚十!	询价

KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLMBG2JENB-B041特价销售三星内存
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2022-10-27
KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
KMRX1000BM-B614 原装现货低价出售
2019-2-19