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KM416V4100B	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode 文件：767.16 Kbytes Page：35 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM416V4100B	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode	Samsung 三星	Samsung
KM416V4100BS	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode 文件：767.16 Kbytes Page：35 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM416V4100BS-45	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode 文件：767.16 Kbytes Page：35 Pages	Samsung 三星	Samsung
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KM416V4100BS-L6	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode 文件：767.16 Kbytes Page：35 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM416V4100C	4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode 文件：88.39 Kbytes Page：9 Pages	Samsung 三星	Samsung

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更新时间：2025-11-19 9:34:00

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深圳市益百分电子有限公司	KM416V4100CS-6	SAMSUNG	98+	TSOP	2450	全新原装进口自己库存优势	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	KM416V4100CS-L6	MICRON/美光	23+	TSOP50	5000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
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深圳市壹芯创科技有限公司	KM416V4104AS-6	SAMSUNG	22+	TSOP	2000	原装正品现货	询价
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深圳市柯尔基电子有限公司	KM416V4104AS-6	SAMSUNG	23+24	SOP-	9680	原盒原标.进口原装.支持实单 .价格优势	询价

KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLMBG2JENB-B041特价销售三星内存
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2022-10-27
KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
KMRX1000BM-B614 原装现货低价出售
2019-2-19