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KM416S8030BT-G/FA	128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL 文件：133.47 Kbytes Page：11 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM416S8030BT-G/FA	128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	Samsung 三星	Samsung
KM416S8030	2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM 文件：116.91 Kbytes Page：10 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM416S8030B	128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL 文件：133.47 Kbytes Page：11 Pages	Samsung 三星	Samsung
KM416S8030BN	128Mb SDRAM Shrink TSOP 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL 文件：80.34 Kbytes Page：9 Pages	Samsung 三星	Samsung
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KM416S8030BN-G/FL	128Mb SDRAM Shrink TSOP 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL 文件：80.34 Kbytes Page：9 Pages	Samsung 三星	Samsung

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更新时间：2025-10-19 10:02:00

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KLMBG2JETD-B041中文资料三星存储芯片现货供应中文资料PDF
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2022-12-28
KLMBG2JENB-B041特价销售三星内存
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2022-10-27
KLUCG4J1ZD-B0CP
KLUCG4J1ZD-B0CP RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1ED-B0C1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN KLUCG4J1ZD-B0CQ RICHTEK/立锜 2020 QFN KLUCG4J1BB-B0B1 RICHTEK/立锜 2018+ QFN TYD0GH121661RA 内存芯片 MICRON/美光 2019+ BGA TYD0GH121661RA MICRON/美光 2019+ BGA LM317K MICRON/美光 2020 BGA MMZ0603D560CT000 MICRON/美光
2021-5-26
KNP1/2W-100Ω±5% T
属性参数值商品目录绕线电阻功率 1/2W 精度 ±5%_ 阻值（欧姆） 100
2020-9-8
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LBT676-K2E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
KM68U4000CLTGI-10L，KPT3216YDC4，KSA992FTA，L-59SRSGC-CC-14.6HB-TNR01，LB T676-K2 E7510，LDC21897M19D-078，LGA67K-H2-2-0-R33，LGK380NRE7504
2019-12-8
KMRX1000BM-B614三星SAMSUNG存储器价格PDF资料中文资料
KMRX1000BM-B614 原装现货低价出售
2019-2-19