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KHB9D5N20P1

N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

General Description This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and switch mode power supplies. FEATURES • VDSS=200V, ID=9.5A • Drain-

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

KHB9D5N20P1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KHB9D5N20P1

  • 制造商

    KEC

  • 制造商全称

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述

    N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2026-7-31 18:45:00
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