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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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2Gx8Bit/4Gx8Bit/8Gx8BitNANDFlashMemory 文件:1.72396 Mbytes Page:67 Pages | SamsungSamsung Group 三星三星半导体 | |||
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IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SAMSUNG |
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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TSOP-48 |
22+ |
SH |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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SAMSUNG |
09+ |
TSSOP |
32 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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SAMSUNG/三星 |
23+ |
na |
30000 |
有挂就有货,只做原装免费送样,可BOM配单 |
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samsun |
21+ |
N/A |
119 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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SAMSUNG/三星 |
22+ |
BGA |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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SAMSUNG |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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SAMSUNG |
2023+ |
BGA |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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SAMSUNG |
21+ |
BGA |
35200 |
一级代理/放心采购 |
|||
SAMSUNG |
2022 |
BGA |
5280 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
K9WBG08U1D-SIBO规格书下载地址
K9WBG08U1D-SIBO参数引脚图相关
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- KA1458
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2021-5-20K9F8G08U0M-PCBO
K9F8G08U0M-PCBO,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-24K9PMGD8S2M-TCK0
制造商IC编号K9PMGD8S2M-TCK0 厂牌SAMSUNG/三星 IC类别 IC代码 产品详情 脚位/封装 外包装 无铅/环保含铅 电压(伏) 温度规格 速度 标准包装数量 标准外箱 潜在应用
2020-7-1KA1M0265-飞兆功率开关(FPS)
说明飞兆半导体的功率开关(FPS)产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少的外部组件。飞兆半导体的功率开关(FPS)的组成高压值SenseFET和电流模式PWM控制器IC。PWM控制器具有集成的固定振荡器,欠压锁定,前沿消隐,优化的栅极turn-on/turn-off驱动器,热关机保护,过电压保护,温度补偿用于环路补偿和故障精密电流源保护电路。相对于分立的MOSFET和控制器或RCC开关转换器解决方案,一个新时代功率开关(FPS)可以减少元件总数,设计尺寸,重量,并在同一时间的增加和效率,生产力和系统的可靠性。它有一个基本的平台非常适合于成本效益的设计在任何一个反激转换器
2013-3-10KA1L0365R-飞兆功率开关(FPS)
说明飞兆半导体的功率开关(FPS)产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少的外部组件。飞兆半导体的功率开关(FPS)的组成高压值SenseFET和电流模式PWM控制器IC。PWM控制器具有集成的固定振荡器,欠压锁定,前沿消隐,优化的栅极turn-on/turn-off驱动器,热关机保护,过电压保护,温度补偿用于环路补偿和故障精密电流源保护电路。相对于分立的MOSFET和控制器或RCC开关转换器解决方案,一个新时代功率开关(FPS)可以减少元件总数,设计尺寸,重量,并在同一时间的增加和效率,生产力和系统的可靠性。它有一个基本的平台非常适合于成本效益的设计在任何一个反激转换器
2013-3-10KA1H0165R-飞兆功率开关(FPS)...
说明飞兆半导体的功率开关(FPS)产品系列是专门设计用于离线开关电源用最少的外部组件。飞兆半导体的功率开关(FPS)的组成高压值SenseFET和电流模式PWM控制器IC。PWM控制器具有集成的固定振荡器,欠压锁定,前沿消隐,优化的栅极turn-on/turn-off驱动器,热关机保护,过电压保护,温度补偿用于环路补偿和故障精密电流源保护电路和分立MOSFET相比控制器或RCC开关转换器解决方案的新时代功率开关(FPS)可以减少元件总数,设计尺寸,重量,并在同一时间的增加和效率,生产力和系统的可靠性。它有一个基本的平台非常适合于成本效益的设计在任何一个反激转换器或转发器
2013-3-10
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