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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
AOK53S60	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 53A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.07Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-	ISC 无锡固电	ISC
AOK53S60	null600V 53A 慣 MOS Power Transistor General Description The AOK53S60 has been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability this part can be a	AOSMD 万国半导体	AOSMD
CCR-53S60-D	Latching SPDT Coaxial Switch 文件：631.69 Kbytes Page：9 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE
CCR-53S60-M	Latching SPDT Coaxial Switch 文件：631.69 Kbytes Page：9 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE
CCR-53S60-N	Latching SPDT Coaxial Switch 文件：631.69 Kbytes Page：9 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE

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更新时间：2025-8-6 18:06:01

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K521H12ACH-B050
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2021-5-26
K5-1658UN-01
商品目录行程开关电路结构 SPST-NO 作用力 20gf 额定电压 DC 12V (DC) 额定电流 50mA (DC) 开关功能 Off-Mom
2020-10-28
K6R4016C1D-UI10 静态存储器芯片进口原装现货。
K6R4016C1D-UI10 进口原装现货。
2020-10-20
K6R1008C1D-UC15，K6R1008C1D-UI15，K6R1008V1B-TC10，K6R1008V1B-TC12，
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2020-2-24
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2020-1-1
K521F13ACA-B060
K521F13ACA-B060
2019-11-4