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K4T51163QG-HCLE7

512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification

The 512Mb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 4banks or 16Mbit x 8 I/Os x 4banks or 8Mbit x 16 I/Os x 4 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications. Key Features • JEDEC stan

Samsung

三星

K4T51163QG-HCLE7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4T51163QG-HCLE7

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification

更新时间:2025-8-7 11:10:00
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