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K4T51163QG-HCLD5

512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification

The 512Mb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 4banks or 16Mbit x 8 I/Os x 4banks or 8Mbit x 16 I/Os x 4 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications. Key Features • JEDEC stan

Samsung

三星

K4T51163QG-HCLD5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4T51163QG-HCLD5

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification

更新时间:2025-8-6 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
24+
NA/
970
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
SAMSUNG
11+
FBGA84
2000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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28000
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23+
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22+
5000
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22+
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原装正品支持实单
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23+
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30000
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SAMSUNG
24+
BGA
5000
全新原装正品,现货销售
SAMSUNG
21+
FBGA
12588
原装正品,自己库存 假一罚十

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