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K4T51163QB	512MbB-dieDDR2SDRAM DDR2SDRAM The512MbDDR2SDRAMisorganizedasa32Mbitx4I/Osx4banks,16Mbitx8I/Osx4banksor8Mbitx16I/Osx4banksdevice.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble data-ratetransferratesofupto533Mb/sec/pin(DDR2-533)for generalapplications. Thechip	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4T51163QB-GCCC	512MbB-dieDDR2SDRAM DDR2SDRAM The512MbDDR2SDRAMisorganizedasa32Mbitx4I/Osx4banks,16Mbitx8I/Osx4banksor8Mbitx16I/Osx4banksdevice.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble data-ratetransferratesofupto533Mb/sec/pin(DDR2-533)for generalapplications. Thechip	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4T51163QB-ZCCC	512MbB-dieDDR2SDRAM DDR2SDRAM The512MbDDR2SDRAMisorganizedasa32Mbitx4I/Osx4banks,16Mbitx8I/Osx4banksor8Mbitx16I/Osx4banksdevice.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble data-ratetransferratesofupto533Mb/sec/pin(DDR2-533)for generalapplications. Thechip	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4T51163QC-ZCCC	512MbC-dieDDR2SDRAM The512MbDDR2SDRAMisorganizedasa32Mbitx4I/Osx4banks,16Mbitx8I/Osx4banksor8Mbitx16I/Osx4banksdevice.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddoubledata-ratetransferratesofupto800Mb/sec/pin(DDR2-800)forgeneralapplications. Thechipisdesignedtocomplywi	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4T51163QC-ZCLCC	512MbC-dieDDR2SDRAM The512MbDDR2SDRAMisorganizedasa32Mbitx4I/Osx4banks,16Mbitx8I/Osx4banksor8Mbitx16I/Osx4banksdevice.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddoubledata-ratetransferratesofupto800Mb/sec/pin(DDR2-800)forgeneralapplications. Thechipisdesignedtocomplywi	SamsungSamsung Group 三星三星半导体

K4T51163QG-HCF产品属性

类型
描述
型号
K4T51163QG-HCF
制造商
SAMSG

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更新时间：2024-5-31 11:26:02

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深圳宇航军工半导体有限公司	K4T51163QB-ZCD5	SAMSANG	19+	BGA	256800	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
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深圳市近平电子有限公司	K4T51163QB-GCCC	SAMS	6000	面议	19	DIP/SMD	询价
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K4T1G164QG-BCE7SAMSUNG，ALTERA（阿尔特拉），ADI亚德诺，军工级IC专业优势渠道
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TAPEONREEL/SRAM-PSEUDO/2MX16PSEUDO/PW751BGACODE48BALL6X8/VFBGA-48/70NS/-40°~+85°C(IND)/RoHS/1.70-1.95V/TAPEONREEL/EOL/1000PCS
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