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K4T1G164QE-HCLE6

1Gb E-die DDR2 SDRAM

The 1Gb DDR2 SDRAM is organized asa 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications. Key Features • JEDEC standard VDD= 1

Samsung

三星

K4T1G164QE-HCLE6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4T1G164QE-HCLE6

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    1Gb E-die DDR2 SDRAM

更新时间:2025-9-26 8:31:00
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