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K4N51163QC-ZC25

512Mbit gDDR2 SDRAM

GENERAL DESCRIPTION The 512Mb gDDR2 SDRAM chip is organized as 8Mbit x 16 I/O x 4banks banks device. This synchronous device achieve high speed graphic double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with the following key gDDR2 SDRA

Samsung

三星

K4N51163QC-ZC25产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4N51163QC-ZC25

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    512Mbit gDDR2 SDRAM

更新时间:2025-8-11 11:26:00
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