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位置：首页 > IC中文资料第5809页 > K4H511638D-UCC

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
K4H511638D-UCC

512MbD-dieDDRSDRAMSpecification66TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant)

KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif

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三星三星半导体

Samsung
K4H511638

512MbC-dieDDRSDRAMSpecification

文件：212.57 Kbytes Page：24 Pages

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三星三星半导体

Samsung
K4H511638B-TC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl

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三星三星半导体

Samsung
K4H511638B-UC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl

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三星三星半导体

Samsung
K4H511638B-G

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages

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三星三星半导体

Samsung
K4H511638B-GC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages

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三星三星半导体

Samsung

K4H511638D-UCC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4H511638D-UCC

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free(RoHS compliant)

K4H511638D-UCC供应商更多...

更新时间：2024-5-16 16:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SAMSUNG/三星
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SAMSUNG
22+
TSOP
4650
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