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K4H511638B-TLB0

128Mb DDR SDRAM

Features • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • Differential clock inputs(CK and CK) • DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition • MRS cycle with address key programs -. Read latency 2, 2.5 (

Samsung

三星

K4H511638B-TLB0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4H511638B-TLB0

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    128Mb DDR SDRAM

更新时间:2025-10-12 16:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
25+23+
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21720
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SAMSUNG/三星
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TSOP-66
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