型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
K4H511638B-TCSLASHLB0

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Differential cl

Samsung

三星

更新时间:2025-10-12 13:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
23+
TSOP66
50000
全新原装正品现货,支持订货
SAMSUNG
24+
TSOP66
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
SAMSUNG/三星
23+
TSOP66
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
HYNIX/海力士
2447
FBGA
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
SAMSUNG/三星
23+
TSSOP66
50000
全新原装正品现货,支持订货
SAMSUNG(三星)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
SAMSUNG
23+24
TSOP
29650
原装正品优势渠道价格合理.可开13%增值税发票
SAMSUNG/三星
22+
TSOP-66
8000
原装正品支持实单
SAMSUNG/三星
1824+
TSOP66
4207
原装现货专业代理,可以代拷程序
SAMSUNG/三星
21+
TSSOP66
8000
全新原装 公司现货 价格优

K4H511638B-TCSLASHLB0芯片相关品牌

K4H511638B-TCSLASHLB0数据表相关新闻