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K4H511638B-TC/LA2

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Differential cl

Samsung

三星

K4H511638B-TC/LA2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4H511638B-TC/LA2

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    512Mb B-die DDR SDRAM Specification

更新时间:2025-10-12 9:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
25+
TSOP66
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SAMSUNG/三星
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原装进口公司现货假一赔百
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