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位置：首页 > IC中文资料第6408页 > K4H510838B-TCB

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
K4H510838B-TCB0

128MbDDRSDRAM

Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(

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三星三星半导体

Samsung
K4H510838B-TC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl

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三星三星半导体

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K4H510838B-UC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Differentialcl

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三星三星半导体

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K4H510838B-GC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification

文件：392.89 Kbytes Page：24 Pages

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三星三星半导体

Samsung
K4H510838B-N

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification54sTSOP-II(400milx441mil)

文件：353.57 Kbytes Page：24 Pages

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三星三星半导体

Samsung
K4H510838B-NC/LCC

512MbB-dieDDRSDRAMSpecification54sTSOP-II(400milx441mil)

文件：353.57 Kbytes Page：24 Pages

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三星三星半导体

Samsung

K4H510838B-TCB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4H510838B-TCB

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    128Mb DDR SDRAM

K4H510838B-TCB供应商更多...

更新时间：2024-6-24 11:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
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SAMSUNG/三星
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