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位置：首页 > IC中文资料第6954页 > K4E640812E-TC/L

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
K4E640812E-TC/L

8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe

Samsung

三星

K4E640812B

8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe

Samsung

三星

K4E640812C

8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe

Samsung

三星

K4E640812E

8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe

Samsung

三星

K4E640812E-JC/L

8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe

Samsung

三星

K4E640812E-JCSLASHL

8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) are optional fe

Samsung

三星

K4E640812E-TC/L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4E640812E-TC/L

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

K4E640812E-TC/L供应商更多...

更新时间：2025-11-4 19:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市明嘉莱科技有限公司
K4E640812E-TC60
SAMSUNG/三星
24+
TSOP32
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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深圳市联世界科技有限公司
K4E640812ETL50
SAM
24+/25+
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原装正品现货库存价优
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深圳市益百分电子有限公司
K4E640812E-TC60
SAMSUNG
02+
TSOP
2255
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深圳市凌旭科技有限公司
K4E640812E-TC60
SAMSUNG/三星
21+
TSOP32
1709
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深圳市英卓尔科技有限公司
K4E640812E-TC60
SAMSUNG
20+
SSOP
2960
诚信交易大量库存现货
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谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司
K4E640812E-TC60
SAMSUNG 
25+
标准封装
18000
原厂直接发货进口原装
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深圳市芯皇电子有限公司
K4E640812E-TC60
SAMSUNG/三星
TSOP32
23+
6000
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深圳市华斯顿科技有限公司
K4E640812E-TC60
SAMSUNG
25+23+
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深圳市胜彬电子有限公司
K4E640812E-TC60
SAMSUNG/三星
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深圳市赛美科科技有限公司
K4E640812E-TC60
SAMSUNG
TSOP32
9850
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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