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1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 1,048,576 x 16 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (1K Ref. or 4K Ref.), access time (-45, -5

Samsung

三星

K4E171611产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4E171611

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

更新时间:2025-12-25 14:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
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