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K4B4G1646B-HIH9

4GbB-dieDDR3SDRAMOlnyx16

The4GbDDR3SDRAMB-dieisorganizedasa32Mbitx16I/Osx8banks,device.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble-data-ratetransferratesofupto2133Mb/sec/pin(DDR3-2133)forgeneralapplications. KeyFeatures •JEDECstandard1.5V(1.425V~1.575V) •VDDQ=1.5V(1.425V~1.575V)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung
更新时间:2025-8-1 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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