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K4B4G1646B-HCK0

4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16

The 4Gb DDR3 SDRAM B-die is organized as a 32Mbit x 16 I/Os x 8banks, device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) for general applications. Key Features • JEDEC standard 1.5V(1.425V~1.575V) • VDDQ = 1.5V(1.425V~1.575V)

Samsung

三星

K4B4G1646B-HCK0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4B4G1646B-HCK0

  • 制造商

    Samsung Semiconductor

更新时间:2025-11-9 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
25+
FBGA96
65248
百分百原装现货 实单必成
SAMSUNG/三星
25+
BGA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
SAMSUNG(三星)
24+
N/A
11884
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
SAMSUNG
24+
BGA
5000
全新原装正品,现货销售
SAMSUNG/三星
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
Samsung
16+
SOP28
4000
进口原装现货/价格优势!
Samsung
1651+
DDR3256Mx16PC16001.5vFBG
12500
只做原装进口,假一罚十
SAMSUNG/三星
2447
BGA
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
SAMSUNG(三星)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
SAMSUNG
24+
FBGA96
90000
专营三星全线品牌假一赔万原装进口货可开增值税发票

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