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K4B4G1646B-HCH9

4GbB-dieDDR3SDRAMOlnyx16

The4GbDDR3SDRAMB-dieisorganizedasa32Mbitx16I/Osx8banks,device.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble-data-ratetransferratesofupto2133Mb/sec/pin(DDR3-2133)forgeneralapplications. KeyFeatures •JEDECstandard1.5V(1.425V~1.575V) •VDDQ=1.5V(1.425V~1.575V)

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung

K4B4G1646B-HCH9产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4B4G1646B-HCH9

  • 制造商

    Samsung Semiconductor

更新时间:2024-4-26 13:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
23+
FBGA96
11200
原装现货
SAMSUNG
13+
TSOP
1532
原包原盒现货可订货价格优势
SAMSUNG
17+
BGA
4500
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营
SAMSUNG
23+
NA
3230
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴!
SAMSUNG
2023+
BGA
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
SAMSUNG/三星
21+
FBGA96
880000
明嘉莱只做原装正品现货
SAMSUNG
21+
BGA
50000
全新原装正品现货,支持订货
SAMSUNG/三星
19+
BGA
11926
进口原装现货
收购此料品牌
2023+
BGA84内存芯片
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
SAMSUNG/三星
22+
FBGA
3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、

K4B4G1646B-HCH9芯片相关品牌

  • ANACHIP
  • BOTHHAND
  • EUROQUARTZ
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