型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
K4B4G1646B-HCH9

4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16

The 4Gb DDR3 SDRAM B-die is organized as a 32Mbit x 16 I/Os x 8banks, device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) for general applications. Key Features • JEDEC standard 1.5V(1.425V~1.575V) • VDDQ = 1.5V(1.425V~1.575V)

Samsung

三星

K4B4G1646B-HCH9产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4B4G1646B-HCH9

  • 制造商

    Samsung Semiconductor

更新时间:2025-9-23 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
24+
NA/
3260
原装现货,当天可交货,原型号开票
SAMSUNG
2016+
FBGA
1000
只做原装,假一罚十,公司优势内存型号!
SAMSUNG/三星
25+
BGA
65248
百分百原装现货 实单必成
SAMSUNG
24+
BGA
13500
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
SAMSUNG/三星
21+
FBGA96
880000
明嘉莱只做原装正品现货
23+
NA
80
专做原装正品,假一罚百!
SAMSUNG
FBGA
1251
正品原装--自家现货-实单可谈
SAMSUNG/三星
25+
BGA
32360
SAMSUNG/三星全新特价K4B4G1646B-HCH9即刻询购立享优惠#长期有货
SAMSUNG/三星
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
SAMSUNG(三星)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

K4B4G1646B-HCH9芯片相关品牌

K4B4G1646B-HCH9数据表相关新闻