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K4B2G0846D-HYF8

2Gb D-die DDR3L SDRAM

The 2Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 64Mbit x 4 I/Os x 8banks, 32Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin (DDR3-1600) for general applications. The chip is designed to comply with the following key DDR3

Samsung

三星

K4B2G0846D-HYF8产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4B2G0846D-HYF8

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    2Gb D-die DDR3L SDRAM

更新时间:2025-11-18 10:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG/三星
2223+
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SAMSUNG/三星
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