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K4B1G0846D-HCH9

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

The 1Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin (DDR3-1600) for general applications.

Samsung

三星

K4B1G0846D-HCH9产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    K4B1G0846D-HCH9

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

更新时间:2025-9-21 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAMSUNG
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