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10.0-10.70GHz 4-Watt Internally-Matched Power FET

FEATURES • 10.0–10.70GHz Bandwidth • Input/Output Impedance Matched to 50 Ohms • +36.5 dBm Output Power at 1dB Compression • 7.5 dB Power Gain at 1dB Compression • 30 Power Added Efficiency • -46 dBc IM3 at PO = 25.5 dBm SCL • 100 Tested for DC, RF, and RTH

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美台半导体

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美台半导体

更新时间:2026-1-5 10:17:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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